SK海力士发布321层TLC NAND 1Tb闪存技术，将于2025年上半年开始量产

SK海力士公司在2023年8月8日至10日举行的闪存峰会（FMS）上，引人瞩目地展示了其最新的321层1Tb TLC* 4D NAND闪存技术，并已推出样品。作为业内首家公开详细揭示300多层NAND开发进展的公司，SK海力士在这次展示中呈现了令人振奋的进展，计划将于2025年上半年开始批量生产这一突破性产品。


过去的成功经验为SK海力士奠定了坚实的技术基础，尤其是已成功量产的全球最高238层NAND。这些成功积累的经验为开发321层闪存产品铺平了道路。该公司的发言人表示：“借助这次对堆叠限制的再次突破，SK海力士将引领300层以上NAND的新时代，引领市场的创新浪潮。”

新一代的321层1Tb TLC NAND在生产率方面取得了惊人的提升，相较于早期的238层512Gb产品，生产率提高了59%。这一巨大的飞跃归功于技术的不断进步，该技术允许在单一芯片上堆叠更多的存储单元，实现更大的存储容量，从而在单个晶圆上生产的总容量得以大幅增加。

ChatGPT的推出极大地促进了生成式人工智能市场的发展，这对于高性能、大容量存储器产品的需求增长提供了强有力的动力。在本次FMS上，SK海力士针对人工智能领域的需求，推出了针对性优化的下一代NAND解决方案，其中包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0标准的企业级固态硬盘。公司希望这些产品能够引领行业，提供卓越的性能，充分满足客户对高性能存储的迫切需求。

同时，SK海力士还宣布已经启动下一代PCIe Gen6和UFS 5.0的研发工作，这些新产品将为解决方案的开发提供更加完善的技术支持和创新。


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