三星因存储市场低迷，计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

为了克服目前低迷的存储器市场状况，三星电子决定采取行动，暂停位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。据业内权威ZDNet Korea报道，三星正在考虑停止P1工厂NAND Flash生产线部分设备的生产。这一生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。预计该设备将暂停生产至少一个月的时间，但此停产期也有可能延长至2023年下半年。

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三星目前已经采取了一系列举措来应对市场状况，其中包括减少了主要NAND Flash生产基地的晶圆投入，涵盖了韩国平泽、华城以及中国西安等地。业界普遍猜测，这将使得三星的NAND Flash产量可能减少约10%。尽管如此，考虑到市场持续低迷，三星在今年4月份发布的2023年Q1财报中已经正式宣布了存储器减产计划。而在最近发布的第Q2财报中，三星也明确表示将在2023年下半年重点削减NAND Flash领域的产量。

值得注意的是，被指定为减产目标的第6代128层V-NAND系列工艺已经相对成熟。而三星目前主要的销售额来自第7代和第8代V-NAND产品，分别为176层和236层。

在减产期间，半导体公司通常采取保持设备运行但不生产晶圆的方式。这是因为如果设备完全关闭，重新启动时需要重新建立工艺，以达到正常产量需要额外的时间和金钱投入。然而，三星考虑将设备停止运转，不仅是为了提升减产效果，也是为了削减成本。

据报道，包括半导体在内的三星设备解决方案（DS）部门在2023年上半年已经累计亏损达到8.94万亿韩元（约合67.2亿美元）。因此，降低成本已成为三星存储业务目标管理（MBO）的一个重要目标。

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